“深耕功率器件市场 引领领域新坐标”

■cubn记者易斐北京报道

江苏东光微电子股份有限公司(以下简称东光微电子)在半导体分立器件和集成电路的许多细分行业具有很强的技术特点、领先的市场地位和很高的市场占有率。 企业集芯片设计、芯片制造、封装测试、直销、售后服务于一体。 2007-2009年，营业收入分别为1.11亿元、1.45亿元和1.62亿元，收入年复合增长率为21%； 净利润分别为2966万元、1978万元和2316万元。 过去三年的综合毛利率分别为39.71%、31.23%、32.42%，居行业领先地位，高于主板华为微电子和士兰微等。 向社会公众发行人民币普通股2700万股，募集资金用于半导体防护功率器件线项目、新型功率半导体器件生产线技改项目和半导体封装生产线项目等3个项目，总投资18，082万元。

半导体保护功率器件也称为保护器件，用于保护昂贵的电路免受突发性过大电压和过大电流的侵害。 通过使用这些部件，可以对雷电浪涌、静电放电、瞬低、感应负载的切换、交流电源的变动具有耐受性。 防护功率器件是企业最具特色的产品，在国内通信行业被中国电信等基础电信运营商认定为设备供应商指定采购产品，2009年市场占有率达到80%以上，具有绝对特点，是该行业的大企业。 2009年防护器件收入比达到32.92%，是企业稳定收入的支柱之一。 目前防护器件年生产能力为1.3亿只，2009年防护器件生产能力利用率达到105.05%。 本项目新建一条4英寸半导体防护功率器件生产线，项目建成后，防护功率器件年产能将增加2.22亿只。

如果说“守城”是防护器件扩大生产项目通过处理生产能力瓶颈来巩固企业在防护器件行业的领先地位。 那么，新型功率半导体器件生产线技改项目有望成为东光微电子精彩的“亮剑”，企业在半导体器件这个极具想象力的空之间的领域成为新的领导者。 目前，这条线路主要生产声效功率晶体管( vdmos )和晶闸管控制器( igbt )产品。 vdmos无论是开关APP应用还是线性APP应用都是理想的功率器件，但国内市场基本处于外资垄断状态。 根据ccid的统计，中国功率型金氧半涂层晶体管( mosfet )市场排名靠前的公司分别是fairchild、st、vishay .欧美企业，占前10强中的9家。 前十大海外制造商占中国市场的60%。 许多国内制造商想扩大自己的市场份额，但苦于技术门槛高、发展迅速。 东光微电子是目前批量生产少数vdmos产品的国内公司之一，因此发展速度异常迅速。 以良好的性价比迅速被替代，产品通常比同类进口的便宜30%以上，目前订单旺盛。

从2008年开始生产的vdmos生产线的生产能力利用率去年9月达到了82%，生产线的生产能力利用率又连续3年超过了100%。

目前，该生产线年生产能力为1亿只vdmos产品，技改后新增生产能力1.4亿只，总生产能力达到2.4亿只/年。 vdmos是现阶段要点迅速发展的产品，该技术改革将在原生产线的基础上增加关键设备，预计项目的实施将大幅提高该生产线的产能利用率。

功率半导体是低碳APP的基础技术，功率器件的基本功能是通过管理功率、能源、能耗来有效、合理地利用能源。 中国的功率器件空之间很宽。 功率器件中，mosfet和igbt是增长率最快的两个市场，2008年mosfet增长率为10.9%，igbt增长率为13.4%，mosfet销售额为237亿元，占功率器件整体的28.8%； igbt为38.2亿元，比达到4.6%。 当前节能环保、新能源开发的产业潮流将会给功率器件带来巨大的诉求空之间。 vdmos产品是led节能灯的必须品，期待着未来随着led通用照明市场的启动加速发展。 值得注意的是，东光微电子负责国家新能源逆变器用大功率vdmos项目，将来有可能进入新能源行业。

另外，包装项目的垂直整合业务将大幅降低购买价格。 该项目新建半导体封装生产线，由子公司东晨电子实施。 项目完成后，企业新增半导体封装测试能力6.5亿只/年，目前封装能力为1.3亿只/年，项目完成后，总封装能力达到7.8亿只/年。 企业现有四大系列产品总生产能力为4.3亿只/年，防护器件和vdmos募集项目完成投产后，总生产能力可达7.92亿只/年。 因此，该项目完成后，预计基本能够满足东方微电子产品的封装诉求。 2007年、2008年和2009年打包价格占本期采购总额的比例分别为42.36%、37.40%、39.81%。 据估算，企业自包单价约0.135元，外包单价约0.174元，按6.5亿年生产能力计算，该项目每年为企业节约2535万元，约相当于2000000万元